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Ionenempfindliche Feldeffekttransistoren (ISFET)

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Sensoren zur Messung des pH-Werts

Im Bereich der Chemosensorik entwickelt das Fraunhofer IPMS Sensoren zum Nachweis von Ionenkonzentrationen und Leitfähigkeiten in wässrigen Lösungen.

  • Design und Entwicklung von ISFET-Chips und Wafer-Teststrukturen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung auf Waferebene (Modellierung für die Vorhersage des Sensorarbeitspunkts, Schichtcharakterisierung und Bewertung der Waferfläche)
  • Entwicklung und Design von Aufbau- und Verbindungstechnologien für den Einsatz als Sensoren (Modulkonzept) einschließlich Untersuchungen und Entwicklungen zur Polymerisolierung von ISFET-Chips und der Bewertung und Prüfung von Sensordichtungen
  • Messtechnische Prüfung und Charakterisierung in wässriger Lösung (pH0-14, 0-95°C) mit Entwicklung, Prüfung und Automatisierung von Mess- und Charakterisierungssequenzen
  • Entwicklung und Pilotproduktion von ISFET-Chips für Integratoren, Systementwickler und die Industrie. Die Hauptanwendungsbereiche sind Umweltsensoren, Indoor-Farming, Landwirtschaft und Wassermanagement sowie Lifestyle- und Gesundheitsprodukte.
  • Entwicklung und Pilotproduktion von ISFET-Arrays auf Basis der n-trough-Technologie
  • Entwicklung und Pilotproduktion von ionenselektiven ISFETs

Parameter des Sensorchips

  • Chipgröße: 5×5 mm2
  • Arbeitspunkt: e. g. VDS – 0,5 V;IDS = 190…170 µA
  • Referenzelektrode wird benötigt
  • Fraunhofer IPMS n-Well ISFET ermöglicht mehrere separate ISFETS auf einem Chip
Broschüre – Ionenempfindliche Feldeffekttransistoren (ISFET)

Angebot Details

Spezifikationen und Deliverables:

‚ – Chipgröße: 5×5 mm2
– Arbeitspunkt, z.B. VDS – 0,5 V ; IDS = 190…170 µA
– pH-Steigung: ~ 58 mV/pH @ 20 °C//~59 mV/pH @ 25° C (Nernst)
– Drift: ~ 20…60 µV/h
– pH-Bereich: 1 – 13
– Referenzelektrode ist erforderlich, z.B. Ag/AgCl
– Fraunhofer IPMS ISFETs ermöglichen auch mehrere ISFETs auf einem Chip

Nutzenversprechen:

Eingabe vom Kunden erforderlich:

Anwendungsgebiete:

Patent-/Veröffentlichungsnummer

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Patent-Familie:

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