Viele Anwendungen wie Photovoltaik, LEDs und Anzeigeelemente erfordern eine Elektrode mit hoher Leitfähigkeit und gleichzeitig hoher Transmission. Das bisher am häufigsten verwendete Material ist eine dünne Schicht aus Indium-Zinn-Oxid (ITO). Auf flexiblen Substraten ist die Dicke der ITO-Schicht begrenzt, da ihre keramischen Eigenschaften nur eine geringe Flexibilität zulassen. Das bedeutet, dass der niedrigste mögliche Schichtwiderstand etwa 40 Ohm/Quadrat beträgt. Bei größeren Dicken – und damit geringeren Schichtwiderständen – bricht die Schicht unter Biegebelastung. Neben ITO ist auch aluminiumdotiertes Zinkoxid (AZO) ein transparentes leitfähiges Oxid.
Dünne Silberschichten haben eine viel höhere Leitfähigkeit und ermöglichen einen Schichtwiderstand von unter 10 Ohm/Quadrat bei gleichzeitig hoher Flexibilität. Allerdings weisen sie auch einen hohen Reflexionsgrad im sichtbaren Spektrum auf und sind anfällig für Korrosion durch Umwelteinflüsse. Wenn die Silberschicht in transparente, leitfähige Oxidschichten (D-Ag-D oder I-M-I) eingebettet ist, kann die Reflexion aufgrund ihrer antireflektierenden Eigenschaften erheblich reduziert werden. Durch Anpassung des Brechungsindexes und der Schichtdicke wird die Transmission spürbar erhöht. Typische transparente leitfähige Oxide sind neben AZO-Oxid auch Oxide von Zinn, Niob und Bismut. Diese Variante der transparenten Silberelektrode (TSE) wurde im EU-Projekt „TREASORES“ (FP7/2007-2013, Nr. 314068) in Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer Institut ISE in Freiburg entwickelt. Basierend auf dünnen Silberschichten, die zwischen dielektrischen AZO-Schichten (D-Ag-D) eingebettet sind, wurden Schichtwiderstände im Bereich von 6-8 Ohm/Quadrat erreicht, die deutlich unter den ITO-Werten liegen, wobei eine vergleichbar hohe Transmission bei geringeren Herstellungskosten beibehalten wird.
